Улучшение транзистора To252 Osg80r1K4df VDS-850V ID-12A RDS (ВКЛ.) -1,4 Ом QG-7.5nc Для светодиодного освещения PC Power Telecom Power N-Channel Power MOSFET

сертификация: RoHS, ISO
форма: Металл Фарфор Труба
Экранирование Тип: Sharp Граничная Экранирование Tube

Products Details

Основная Информация.

Модель №.
TO252 OSG80R1K4DF
Состав
плоскостной
Инкапсуляция Структура
Чип транзистор
Уровень мощности
Высокая мощность
материал
кремний
Торговая Марка
Orientalsemi
Происхождение
Китай
Код ТН ВЭД
8541290000
Производственная Мощность
Over 1kk/Month

Описание Товара


Общее  описание
    Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS®  использует    технологию балансировки заряда  для  достижения  выдающегося низкого  сопротивления при работе  и  низкого   заряда затвора.  Он   разработан  для  минимизации   потерь проводимости, обеспечения высокой производительности коммутации  и  надежной  лавинной  способности .
      Серия GreenMOS® Generic   оптимизирована    для  экстремальной   производительности коммутации    , чтобы   минимизировать   потери при коммутации .  Он   предназначен для      применения в условиях высокой плотности мощности   и   соответствует     самым высоким стандартам эффективности  .

Функции
      НИЗКИЙ  УРОВЕНЬ RDS(ON) И FOM
      Крайне  низкие   потери при переключении
       Превосходная стабильность  и  однородность

Области применения
       Питание ПК
       Светодиодная подсветка
       Телекоммуникационное питание
       Мощность сервера
       Зарядное устройство электромобиля
      Солнечная батарея/ИБП

  Ключевые параметры производительности
 
Параметр Значение Единицы измерения
VDS, мин . При Tj(макс.) 850 В.
ID, импульс 12 А
RDS(ВКЛ) , МАКС . ПРИ VGS=10 В. 1.4 Ω
ВГ 7.5 НЗ

  Абсолютные максимальные значения при   Tj=25°C, если не указано иное
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
 Напряжение источника тока VDS 800 В.
 Напряжение источника кулисы VGS ±30 В.
Непрерывная дренажная кард1), TC=25 °C.
ID (ИДЕНТИФИКАТОР)
4
А
Непрерывная дренажная кард1 ), TC=100 °C. 2.5
Ток пульсирующего стока 2), TC=25 °C. ID, импульс 12 А
Непрерывный диод переднего  хода 1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ 4 А
Диодный импульсный кард1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ, пульсом 12 А
Power dissispation3), TC=25 °C. PD 37 W
  Одиночная импульсная лавина с напряжением 5) EAS 100 МДж
Прочность МОП-транзистора  dv/dt, VDS=0…640 В. dv/dt 50 В/НС
Обратный  диод  dv/dt, VDS=0…640 в, ISD≤ID dv/dt 15 В/НС
   Температура эксплуатации и хранения Tstg  ,  Tj от -55 до 150 °C

 Информация для заказа
 
Пакет
Тип
Единицы измерения/
Мотовило
Катушки/   внутренний  ящик Единицы измерения/    Внутренняя  коробка Внутренние  коробки/ коробка для перевозки картонных коробок   Единицы/     коробка в картонной упаковке  
TO252-J. 2500 2 5000 5 25000
TO252-P. 2500 2 5000 5 25000

 Информация о продукте
 
Продукт Пакет Без Pb   RoHS  Не содержит галогенов
OSG80R1K4DF TO252 да да да



Цепочка поставок
Transistor Enhancement To252 Osg80r1K4df Vds-850V ID-12A RDS (ON) -1.4ohm Qg-7.5nc for LED Lighting PC Power Telecom Power N-Channel Power Mosfet



Зеленая декларация продукта

Transistor Enhancement To252 Osg80r1K4df Vds-850V ID-12A RDS (ON) -1.4ohm Qg-7.5nc for LED Lighting PC Power Telecom Power N-Channel Power Mosfet
 
Transistor Enhancement To252 Osg80r1K4df Vds-850V ID-12A RDS (ON) -1.4ohm Qg-7.5nc for LED Lighting PC Power Telecom Power N-Channel Power MosfetTransistor Enhancement To252 Osg80r1K4df Vds-850V ID-12A RDS (ON) -1.4ohm Qg-7.5nc for LED Lighting PC Power Telecom Power N-Channel Power MosfetTransistor Enhancement To252 Osg80r1K4df Vds-850V ID-12A RDS (ON) -1.4ohm Qg-7.5nc for LED Lighting PC Power Telecom Power N-Channel Power MosfetTransistor Enhancement To252 Osg80r1K4df Vds-850V ID-12A RDS (ON) -1.4ohm Qg-7.5nc for LED Lighting PC Power Telecom Power N-Channel Power MosfetTransistor Enhancement To252 Osg80r1K4df Vds-850V ID-12A RDS (ON) -1.4ohm Qg-7.5nc for LED Lighting PC Power Telecom Power N-Channel Power MosfetTransistor Enhancement To252 Osg80r1K4df Vds-850V ID-12A RDS (ON) -1.4ohm Qg-7.5nc for LED Lighting PC Power Telecom Power N-Channel Power MosfetTransistor Enhancement To252 Osg80r1K4df Vds-850V ID-12A RDS (ON) -1.4ohm Qg-7.5nc for LED Lighting PC Power Telecom Power N-Channel Power Mosfet

Свяжитесь с нами

Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже мы ответим вам в течение 24 часов