NCE обеспечивает транзисторы MOSFET серии N-Channel SGT-I с уровнями напряжения пробоя от 30 до 250 В. Технология NCE и превосходное управление качеством обеспечивают превосходную производительность и надежность продукции, а также предоставляют экономичные решения, снижая сложность проектирования системы. Они широко используются в синхронном выпрямлении в источниках питания с импульсным режимом (SMPS), управлении двигателями постоянного тока, микроинверторах солнечной энергии, источниках питания для телекоммуникационных и серверных систем, а также в источниках бесперебойного питания (ИБП). В области проектирования источников питания разработчики сталкиваются с двойной задачей повышения эффективности системы и плотности мощности при одновременном снижении стоимости системы. Новые транзисторные транзисторы MOSFET серии N с системой Clean Energy способны быстро переключаться с высоким сопротивлением при включении (_RDS(ON)) и высоким коэффициентом качества (FOM, _{RDS(ON) xQg} ), что значительно повышает эффективность применения, и становится идеальным решением для этой задачи.

Ассортимент силовых МОП-транзисторов серии N-Channel SGT-I включает В себя: TO-220, TO-252, TO-247, TO-263, TO-251, TOLL, DFN5*6, DFN3*3 и SOP-8 пакеты, которые предоставляют дизайнерам более широкие и гибкие возможности настройки.

Примечание: МОП-транзисторы SGT также называются МОП-транзисторами Super Trench.