- Обзор
- Описание продукта
Основная Информация.
Модель №.
OST40N120HMF TO-247N
Состав
плоскостной
Инкапсуляция Структура
Чип транзистор
Уровень мощности
Высокая мощность
материал
кремний
Транспортная Упаковка
Carton
Характеристики
35.3x30x37.5/60x23x13
Торговая Марка
Orientalsemi
Происхождение
Китай
Код ТН ВЭД
8541290000
Производственная Мощность
Over 1kk/Month
Описание Товара
Общее описание
В OST40N120HMF используется запатентованная технология биполярного транзистора TGBTTM с тройником и восточными литниками, обеспечивающая чрезвычайно низкое напряжение VCE (SAT), низкий уровень заряда литника и превосходную коммутацию. Данное устройство подходит для преобразователей частоты переключения среднего и высокого диапазона.Функции
- Усовершенствованная технология TGBTTM
- Превосходная проводимость и потеря переключения
- Превосходная стабильность и однородность
- Быстрый и мягкий антипараллельный диод
Области применения
- Индукционные преобразователи
- Источники бесперебойного питания
Ключевые параметры производительности
| Параметр | Значение | Единицы измерения |
| VCES, мин. При 25°C. | 1200 | В. |
| Максимальная температура соединения | 175 | °C |
| ИС, импульс | 160 | А |
| VCE(SAT), тип @ VGE=15 В. | 1.45 | В. |
| ВГ | 214 | НЗ |
Информация о маркировке
| Название продукта | Пакет | Маркировка |
| OST40N120HMF | TO247 | OST40N120HM |
Абсолютные максимальные значения при Tvj=25°C, если не указано иное
Тепловые характеристики
| Параметр | Символ | Значение | Единицы измерения |
| Напряжение передатчика коллектора | ВКЕС | 1200 | В. |
| Напряжение генератора строба | ВГЭС | ±20 | В. |
| Напряжение генератора переходных синхроимпульс, TP≤0,5 мкс, D<0.001 | ±25 | В. | |
| Непрерывная коллекционь1), TC=25°C. | ИС | 56 | А |
| Непрерывная коллекционь1), TC=100°C. | 40 | А | |
| Пульсирующий коллектор current2), TC=25°C. | ИС, импульс | 160 | А |
| Диодный ток переднего хода 1), TC=25°C. | ЕСЛИ | 56 | А |
| Диодный ток переднего хода 1), TC=100°C. | 40 | А | |
| Диодная импульсная кард2), TC=25°C. | ЕСЛИ, пульсирующий | 160 | А |
| Power dissispation3), TC=25°C. | PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ | 357 | W |
| Power dissispation3), TC=100°C. | 179 | W | |
| Температура эксплуатации и хранения | Тстг, Твж | от -55 до 175 | °C |
| Время устойчивости к короткому замыканию VGE=15 в, VCC≤600 В. Допустимое количество коротких замыканий <1000 раз между короткими замыканием:≥1.0 S. Tvj=150 °C | ТСК | 10 | μs |
Тепловые характеристики
| Параметр | Символ | Значение | Единицы измерения |
| Тепловое сопротивление IGBT, корпус соединения | RθJC | 0.42 | °C/ВТ. |
| Термосопротивление диода, корпус соединения | RθJC | 0.75 | °C/ВТ. |
| Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) | RθJA | 40 | °C/ВТ. |
Электрические характеристики при Tvj=25°C, если не указано иное
| Параметр | Символ | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы измерения | Условия проверки |
| Напряжение пробоя коллектора-эмиттера | V(BR)CES | 1200 | В. | VGE=0 В, IC=0.5 МА | ||
Напряжение насыщения коллектора-эмиттера | VCE(SAT) | 1.45 | 1.8 | В. | VGE=15 В, IC=40 A TVJ=25°C. | |
| 1.65 | В. | VGE=15 В, IC=40 А, TVJ =125°C. | ||||
| 1.8 | VGE=15 В, IC=40 А, TVJ =175°C. | |||||
| Затвор-эмиттер пороговое напряжение | VGE(TH) | 4.8 | 5.8 | 6.8 | В. | VCE=VGE, ID=0.5 МА |
Диод, напряжение переднего хода | VF | 1.9 | 2.1 | В. | VGE=0 В, IF=40 A TVJ =25°C. | |
| 1.6 | VGE=0 В, IF=40 А, TVJ =125°C. | |||||
| 1.5 | VGE=0 В, IF=40 А, TVJ =175°C. | |||||
| Затвор-эмиттер ток утечки | ИГЕС | 100 | Нет | VCE=0 В, VGE=20 В. | ||
| Ток коллектора напряжения нулевой заслонки | ИКС | 10 | μA | VCE=1200 В, VGE=0 В. |
Динамические характеристики
| Параметр | Символ | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы измерения | Условия проверки |
| Входная емкость | Кис | 11270 | ПФ | VGE=0 В, VCE=25 В, ƒ=100 кГц | ||
| Выходная емкость | COE | 242 | ПФ | |||
| Емкость обратной передачи | CRES | 10 | ПФ | |||
| Время задержки включения | td(вкл) | 120 | нс | VGE=15 В, VCC=600 В, RG=10 Ω, IC=40 А | ||
| Время нарастания | tr | 88 | нс | |||
| Время задержки выключения | td(выкл.) | 246 | нс | |||
| Время осени | тф | 160 | нс | |||
| Включите питание | Эон | 3.14 | МДж | |||
| Отключите питание | Eoff (Выкл.) | 1.02 | МДж | |||
| Время задержки включения | td(вкл) | 112 | нс | VGE=15 В, VCC=600 В, RG=10 Ω, IC=20 А | ||
| Время нарастания | tr | 51 | нс | |||
| Время задержки выключения | td(выкл.) | 284 | нс | |||
| Время осени | тф | 148 | нс | |||
| Включите питание | Эон | 1.32 | МДж | |||
| Отключите питание | Eoff (Выкл.) | 0.53 | МДж |
Характеристики заряда литника
| Параметр | Символ | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы измерения | Условия проверки |
| Общая стоимость задвижки | ВГ | 214 | НЗ | VGE=15 В, VCC=960 В, IC=40 А | ||
| Задвижка-эмиттер | Вге | 103 | НЗ | |||
| Задвижка коллектора | КВГК | 40 | НЗ |
Характеристики диода корпуса
| Параметр | Символ | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы измерения | Условия проверки |
| Время восстановления диода при движении назад | trr | 293 | нс | VR=600 В, IF=40 А, DIF/dt=500 A/μs Tvj = 25°C. | ||
| Диод обратного заряда | QRR | 2.7 | μC | |||
| Пиковый обратный ток диода | Иррм | 25 | А |
Примечание
- Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
- Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
- PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
- Значение RθJA измеряется при установке устройства на плату 1 дюймов2 FR-4 с 2 унций. Медь, в воздушной среде с Ta=25 °C.
Версия 1: Размер корпуса TO247-P.
Информация для заказа
| Тип пакета | Единицы измерения/трубка | Трубки/внутренний ящик | Единицы измерения/ Внутренняя коробка | Внутренние коробки/коробка для перевозки картонных коробок | Единицы/ коробка в картонной упаковке |
| TO247-P. | 30 | 11 | 330 | 6 | 1980 |
Информация о продукте
| Продукт | Пакет | Без Pb | RoHS | Не содержит галогенов |
| OST40N120HMF | TO247 | да | да | да |
Отказ от ответственности
Информация, приведенная в настоящем документе, ни в коем случае не должна рассматриваться как гарантия условий или характеристик. В отношении любых приведенных здесь примеров или подсказок, любых типичных значений, указанных в настоящем документе и/или любой информации, касающейся применения устройства, компания Oriental Semiconductor настоящим отказывается от любых гарантий и обязательств любого рода, включая, без ограничений, гарантии отсутствия нарушения прав интеллектуальной собственности любой третьей стороны.
Декларация о экологичных продуктах
