Транзистор с режимом усиления N-канального транзистора с IGBT

сертификация: RoHS, ISO
форма: ST
Экранирование Тип: Удаленная СВЕТОТЕНЕВОЙ защитна трубка

Products Details

  • Обзор
  • Описание продукта
Обзор

Основная Информация.

Модель №.
To247 OST20N135HRF
Состав
рассеивание
Инкапсуляция Структура
Пластиковые Герметичный Транзистор
Уровень мощности
средняя мощность
материал
кремний
приложение 1
индукционный нагрев
приложение 2
приложения с плавным переключением
Транспортная Упаковка
Carton
Характеристики
TO247
Торговая Марка
Orientalsemi
Происхождение
Китай
Код ТН ВЭД
8541290000
Производственная Мощность
Over 1K/Month

Описание Товара

 
Описание продукта

Общее  описание

 В OST20N135HRF используется запатентованная технология биполярного транзистора TGBTTM (Trident-Gate Bipolar Transistor) компании Oriental-Semi, обеспечивающая  чрезвычайно низкое напряжение VCE(SAT), низкий уровень заряда литника и превосходную коммутацию. Данное устройство  подходит для резонансных систем индукционного нагрева.



  Абсолютные максимальные значения при   Tj  =25°C , если  не  указано иное   

Параметр Символ Значение Единицы измерения
  Напряжение передатчика коллектора ВКЕС 1350 В.
  Напряжение генератора строба
ВГЭС
±20 В.
   Напряжение излучателя переходных синхроимпульса, TP  ≤10 мкс, D<0.01   ±30 В.
Каркас1 непрерывного  коллекционера ), TC  =25°C.
ИС
40
А
Каркас1 непрерывного  коллекционера ), TC  =100°C.   20  
Пульсирующий  коллектор  current2), TC  =25°C. ИС, импульс 60 А
Диодный  ток переднего  хода 1), TC  =25°C.
ЕСЛИ
40
А
Диодный  ток переднего  хода 1), TC  =100°C.   20  
Диодная  импульсная кард1 ), TC  =25°C. ЕСЛИ,  пульсирующий 60 А
Power  dissispation3), TC  =25°C.
PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ
290 W
Power  dissispation3), TC  =100°C.   145 W
   Температура эксплуатации и хранения Tstg , Tj от -55 до 150 °C



 Тепловые характеристики
Параметр Символ Значение Единицы измерения
  Тепловое сопротивление IGBT, корпус соединения RθJC 0.43 .C/W
Термосопротивление диода  , корпус соединения RθJC 0.43 .C/W
 Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) RθJA 40 .C/W



 Электрические характеристики  при  Tj  =25°C , если  не указано иное  
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения  Условия проверки
  Напряжение пробоя коллектора-эмиттера V(BR)CES 1350     В. VGE=0 В, IC  =0.5 МА


  Напряжение насыщения коллектора-эмиттера


VCE(SAT)
  1.6 1.8 В. VGE  =15  В, IC =20 А
      1.8 2.2 В. VGE  =15 В, IC =25 А
      1.9   В. VGE  =15  В, IC =20 А,
TJ  =150°C.
  Пороговое напряжение строб-эмиттера VGE(TH) 5.1 5.8 6.4 В. VCE  =VGE, ID =0.5 МА

Диод, напряжение переднего хода

VF
  1.5 1.7
В.
VGE =0 В, ЕСЛИ =20 А
      1.9     VGE  =0 В, ЕСЛИ =20 А,
TJ  =150°C.
  Ток утечки на затвор-эмиттер ИГЕС     100 Нет VCE  =0 В, VGE =20 В.
Ток   коллектора напряжения нулевой заслонки ИКС     10 μA VCE  =1350 В, VGE =0 В.



 Динамические характеристики
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения  Условия проверки
Входная емкость Кис   3907   ПФ VCE  =25 В,
VGE  =0 В,
ƒ=100 кГц
Выходная емкость COE   51.3   ПФ
Емкость обратной передачи CRES   2.6   ПФ
  Время задержки включения td(вкл)   48   нс
VCC=600 В,
IC  =20 А,
VGE  =15 В,
RG =10 Ω
Время  задержки выключения   td(выкл.)   144   нс
Время осени тф   235   нс
Отключите  питание Eoff (Выкл.)   1.0   МДж



  Характеристики заряда литника
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения  Условия проверки
Общая   стоимость задвижки ВГ   71.5   НЗ IC  =20 А,
VCC  =1080 В,
VGE=15 В
Задвижка-эмиттер   Вге   15.4   НЗ
Задвижка коллектора   КВГК   32.8   НЗ



Примечание
1)    Расчетный  непрерывный  ток  на основе   максимально  допустимой   температуры соединения.
2)     повторяющаяся оценка, ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода.
3)     PD   основан  на  максимальной температуре соединения, использующей тепловое сопротивление корпуса соединения.
4)     значение   RθJA    измеряется  при   установке устройства   на плате 1 в 2 FR-4  с объемом 2 унции. Медь, в  воздушной среде с Ta  =25 °C.



 Информация для заказа
Пакет Единицы/трубка Трубки/внутренний  ящик Единицы/внутренний  ящик Внутренний  ящик/коробка для перевозки ковриков   Единицы/коробка для перевозки картонных коробок  
TO247 30 11 330 6 1980



 Информация о продукте
Продукт Пакет Без Pb   RoHS  Не содержит галогенов
OST20N135HRF TO247 да да да



 
Питание Chian

Enhancement Mode N-Channel Power IGBT Transistor


Декларация о экологичных продуктах

Enhancement Mode N-Channel Power IGBT Transistor

Enhancement Mode N-Channel Power IGBT TransistorEnhancement Mode N-Channel Power IGBT TransistorEnhancement Mode N-Channel Power IGBT Transistor

Свяжитесь с нами

Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже мы ответим вам в течение 24 часов